Für die Realisierung von noch feineren Leitern (< 25 µm) müssen alternative Fertigungsprozesse angewandt werden. Eine solche Fertigungsmethode ist der Leiterbildaufbau mittels modifizierter semi-additiver Prozesse.
Durch die stetige Miniaturisierung von elektronischen Komponenten steigen die Anforderungen an die Leiterplatte. Für die Realisierung von noch feineren Leitern (< 25 µm) müssen alternative Fertigungsprozesse angewandt werden. Eine solche Fertigungsmethode ist der Leiterbildaufbau mittels modifizierter semi-additiver Prozesse.
Dabei wird auf einer dünnen leitenden Schicht mit Hilfe fotosensitiver Resiste ein negatives Leiterbild belichtet. Beim anschliessenden Galvanikprozess wird die gewünschte Kupferstärke an den freiliegenden Bereichen aufgebaut. Nach dem Entfernen des Resist bleibt das aufgebaute Leiterbild erhalten. Die noch vorhandene dünne Schicht wird mit Hilfe von Differenzätzen entfernt.
